作者:www.www.pcmenaggio.com 發(fā)布日期:2014-12-17 00:20 信息來(lái)源:http://www.www.pcmenaggio.com
最簡(jiǎn)單的恒流源就是用一只恒流二極管。實(shí)際上,恒流二極管的應用是比較少的,除了因為恒流二極管的恒流特性并不是非常好之外,電流規格比較少,價(jià)格比較貴也是重要原因。最常用的簡(jiǎn)易恒流源用兩只同型三極管,利用三極管相對穩定的be電壓作為基準,電流數值為:I = Vbe/R1。 這種恒流源優(yōu)點(diǎn)是簡(jiǎn)單易行,而且電流的數值可以自由控制,也沒(méi)有使用特殊的元件,有利于降低產(chǎn)品的成本。缺點(diǎn)是不同型號的管子,其be電壓
I = Vin/R1 這個(gè)電路可以認為是恒流源的標準電路,除了足夠的精度和可調性之外,使用的元件也都是很普遍的,易于搭建和調試。只不過(guò)其中的Vin還需要用戶(hù)額外提供。 從以上兩個(gè)電路可以看出,恒流源有個(gè)定式,就是利用一個(gè)電壓基準,在電阻上形成固定電流。有了這個(gè)定式,恒流源的搭建就可以擴展到所有可以提供這個(gè)“電壓基準”的器件上。
最簡(jiǎn)單的電壓基準,就是穩壓二極管,利用穩壓二極管和一只三極管,可以搭建一個(gè)更簡(jiǎn)易的恒流源。 電流計算公式為:I = (Vd-Vbe)/R1
TL431是另外一個(gè)常用的電壓基準,利用TL431搭建的恒流源,其中的三極管替換為場(chǎng)效應管可以得到更好的精度。 TL431的其他信息請參考《TL431的內部結構圖》和《TL431的幾種基本用法》 電流計算公式為:I = 2.5/R1
恒流源的實(shí)質(zhì)是利用器件對電流進(jìn)行采樣反饋,動(dòng)態(tài)調節設備的供電狀態(tài),從而使得電流趨于恒定。只要能夠采樣得到電流,就可以有效形成反饋,從而建立恒流機制。 能夠進(jìn)行電流反饋的器件,主要采用
恒流源是輸出電流保持恒定的電流源,而理想的恒流源應該具有以下特點(diǎn): a)不因負載(輸出電壓)變化而改變; b)不因環(huán)境溫度變化而改變; c)內阻為無(wú)限大(以使其電流可以全部流出到外面)。 能夠提供恒定電流的電路即為恒流源電路,又稱(chēng)為電流反射鏡電路。
基本的恒流源電路主要是由輸入級和輸出級構成,輸入級提供參考電流,輸出級輸出需要的恒定電流! ①構成恒流源電路的基本原則:恒流源電路就是要能夠提供一個(gè)穩定的電流以保證其它電路穩定工作的基礎。即要求恒流源電路輸出恒定電流,因此作為輸出級的器件應該是具有飽和輸出電流的伏安特性。這可以采用工作于輸出電流飽和狀態(tài)的BJT 或者M(jìn)OSFET來(lái)實(shí)現。 為了保證輸出晶體管的電流穩定,就必須要滿(mǎn)足兩個(gè)條件:a)其輸入電壓要穩定——輸入級需要是恒壓源;b)輸出晶體管的輸出電阻盡量大(最好是無(wú)窮大)——輸出級需要是恒流源。 、趯τ谳斎爰壠骷囊螅 因為輸入級需要是恒壓源,所以可以采用具有電壓飽和伏安特性的器件來(lái)作為輸入級。一般的pn結二極管就具有這種特性——指數式上升的伏安特性;另外,把增強型MOSFET的源-漏極短接所構成的二極管,也具有類(lèi)似的伏安特性——拋物線(xiàn)式上升的伏安特性。 在IC中采用二極管作為輸入級器件時(shí),一般都是利用三極管進(jìn)行適當連接而成的集成二極管,因為這種二極管既能夠適應IC工藝,又具有其特殊的優(yōu)點(diǎn)。對于這些三極管,要求它具有一定的放大性能,這才能使得其對應的二極管具有較好的恒壓性能。 、蹖τ谳敵黾壠骷囊螅 如果采用BJT,為了使其輸出電阻增大,就需要設法減小Evarly效應(基區寬度調制效應),即要盡量提高Early電壓。 如果采用MOSFET,為了使其輸出電阻增大,就需要設法減小其溝道長(cháng)度調制效應和襯偏效應。因此,這里一般是選用長(cháng)溝道MOSFET ,而不用短溝道器件。 。3)基本恒流源電路示例: 上左圖是用增強型n-MOSFET構成的一種基本恒流源電路。為了保證輸出晶體管T2的柵-源電壓穩定,其前面就應當設置一個(gè)恒壓源。實(shí)際上,T1二極管在此的作用也就是為了給T2提供一個(gè)穩定的柵-源電壓,即起著(zhù)一個(gè)恒壓源的作用。因此T1應該具有很小的交流電導和較高的跨導,以保證其具有較好的恒壓性能。T2應該具有很大的輸出交流電阻,為此就需要采用長(cháng)溝道MOSFET,并且要減小溝道長(cháng)度調制效應等不良影響。 上右圖是用BJT構成的一種基本恒流源電路。其中T2是輸出恒定電流的晶體管,晶體管T1就是一個(gè)給T2提供穩定基極電壓的發(fā)射結二極管。當然,T1的電流放大系數越大、跨導越高,則其恒壓性能也就越好。同時(shí),為了輸出電流恒定(即提高輸出交流電阻),自然還需要盡量減小T2的基區寬度調變效應(即Early效應)。另外,如果采用兩個(gè)基極相連接的p-n-p晶體管來(lái)構成恒流源的話(huà),那么在IC芯片中這兩個(gè)晶體管可以放置在同一個(gè)隔離區內,這將有利于減小芯片面積,但是為了獲得較好的輸出電流恒定的性能,即需要特別注意增大橫向p-n-p晶體管的電流放大系數。 。4)基本恒流源電路的擴展: 在以上基本電路的基礎上,還可以加以擴展其功能: 一方面,在二極管恒壓源(T1)的作用下,它的后面可以連接多個(gè)輸出支路(與T2并聯(lián)的多個(gè)晶體管),從而能夠獲得多個(gè)穩定的輸出電流。 另一方面,在T1和T2的源極(發(fā)射極)上還可以分別串聯(lián)一個(gè)電阻(設分別為R1和R2),這就能夠得到不同大小的恒定輸出電流。因為這時(shí)可有I(輸出)/I(參考)=R1/R2,則在這種恒流源電路中,輸出的恒定電流基本上是決定于電阻以及晶體管放大系數的比值,而與電阻和放大系數的絕對大小關(guān)系不大。這種性質(zhì)正好適應了集成電路制造工藝的特點(diǎn),所以這種恒流源電路是模擬IC中的一種基本電路。